國際著名微電子學(xué)專家郝躍院士蒞臨宇騰科技
發(fā)布時間：2024-10-17
10月15日，中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)博士生導(dǎo)師郝躍教授蒞臨宇騰科技。郝院士作為我國第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的開拓者和引領(lǐng)者，為我國氮化物第三代半導(dǎo)體電子器件步入國際領(lǐng)先行列作出了重要貢獻(xiàn)。此次蒞臨為宇騰科技全體員工鼓舞了力量，為我們在氮化鎵領(lǐng)域不懈努力注入一劑強心針。
郝院士一行先后參觀了企業(yè)GaN磊晶無塵室、真空pump維保車間等，了解企業(yè)發(fā)展并與宇騰科技董事長、總經(jīng)理座談交流。郝院士表示GaN是充滿希望和未來的好材料，鼓勵正處于爬坡階段的宇騰科技要有信心，堅持不懈。
感謝郝院士蒞臨指導(dǎo)，宇騰科技堅定信念，繼續(xù)創(chuàng)新拼搏，為第三代半導(dǎo)體發(fā)展貢獻(xiàn)力量！
郝躍
中國科學(xué)院 院士
郝躍，中國科學(xué)院院士，西安電子科技大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師、學(xué)術(shù)委員會主任。全國人大代表，全國僑聯(lián)常委、陜西省僑聯(lián)主席。長期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)，是國家重大基礎(chǔ)研究(973)計劃項目首席科學(xué)家、國家有突出貢獻(xiàn)的中青年專家和微電子技術(shù)領(lǐng)域的著名專家。他在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波毫米波器件、半導(dǎo)體照明短波長光電材料與器件研究和應(yīng)用、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。作為我國第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的開拓者和引領(lǐng)者，為我國氮化物第三代半導(dǎo)體電子器件步入國際領(lǐng)先行列作出了重要貢獻(xiàn)。
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